本站 11 月 20 日消息，半导体行业规范制定组织 jedec 下属固态技术协会美国当地时间本月 18 日宣布推出nand 闪存接口互操作性标准 jesd230g。
JESD230G 规范在性能方面引入了 4800MT/s 接口速率的支持；而在功能方面添加了 SCA（本站注：独立命令 / 地址，Separate Command /Address）总线协议，该协议允许主机和 NAND 设备最大限度地利用最新的接口速率，从而能提供增强的吞吐量和效率。
目前接口速率最快的...
本站 12 月 9 日消息，韩媒 sedaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4xx 层第 10 代 3d v-nand 闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽 1 号工厂的量产线上。
参考本站此前报道，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上介绍 4XX 层 1Tb TLC NAND。该产品采用晶圆键合技术，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速率达 5.6Gb/s。...
7 月 2 日消息，据韩国媒体 etnews 昨日当地时间报道，三星计划于明年三月启动其新一代 3d nand 闪存——第十代 v-nand 首条量产线的建设，预计将于同年 10 月实现全面量产。
据报道，该产线将在 2026 年 3 月开始设备安装，并在上半年完成整条产线的搭建，随后进入试生产阶段，在工艺稳定后正式转入量产。这一进度略晚于此前部分业内人士的预估。
目前，三星最先进的 NAND 技术为 286 层的 V9 工艺，而下一代 V10 的堆叠层数预计将突...
8 月 25 日消息，sk 海力士宣布其全新 321 层 2tb qlc nand 闪存产品已成功完成研发，并正式进入量产阶段。此举实现了全球首次突破 300 层的 qlc nand 技术应用，刷新了nand 存储密度的行业纪录。公司预计在完成全球客户的验证流程后，将于明年上半年正式推出该产品。
为了增强新产品的市场竞争力，SK 海力士推出了单颗容量达 2Tb 的存储芯片，较当前主流方案容量翻倍。针对大容量 NAND 可能带来的性能瓶颈，该公司将芯片内部的平面（pl...
9 月 18 日讯，闪迪高层于当地时间本月 10 日在高盛举办的 communacopia + technology 大会上透露，预计整个 2026 年期间，nand 闪存市场将持续面临供应紧张的局面。
该公司指出，NAND 闪存市场的供需格局正逐步转向有利于供应商的方向，且整体需求态势十分积极：一方面数据中心的存储需求保持旺盛，另一方面人工智能技术的发展也推动了智能手机和 PC 销量的增长，并带动设备平均存储容量上升。
闪迪强调，过去依靠导入新制程节点来降低制造成本...
9月23日，存储芯片价格上调趋势进一步明朗，继美光与三星率先行动后，SK海力士也已加入涨价行列。尽管公司尚未正式发布公告，但市场消息指出，SK海力士正与客户就价格调整展开协商。
从此前行业动态来看，美光率先启动调价，宣布暂停报价一周，并将产品价格上调20%至30%，其中车用及工业级内存涨幅或高达70%。紧随其后，三星传出将对第四季度的LPDDR 4X、LPDDR 5/5X等DRAM产品提价15%至30%，NAND闪存方面，eMMC与UFS合同价预计上调5%至10%，...
10月9日，复旦大学再次传来重磅消息：继今年早些时候推出“破晓（pox）”皮秒级二维闪存器件后，该校周鹏-刘春森团队在二维电子器件的工程化进程中取得又一重大突破。
最新成果显示，该团队成功研发出名为“长缨（CY-01）”的全新架构，首次将二维超快闪存单元“破晓（POX）”与成熟的硅基CMOS工艺深度结合，打造出全球首枚二维-硅基混合架构芯片。
北京时间10月8日晚，这项题为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（A full-featured 2D flash chip...
10月11日，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院的周鹏-刘春森团队宣布，继今年4月发布“破晓（pox）”皮秒闪存器件后，时隔半年再次取得重大突破——成功研发出“长缨（cy-01）”闪存架构。
该架构实现了二维超快闪存器件与成熟硅基CMOS工艺的深度融合，成功研制出全球首款二维-硅基混合架构闪存芯片。这一成果标志着二维材料存储技术从实验室原型迈向工程化应用的关键一步。
相关论文以《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（A full-featu...
10月23日最新动态，自intel在22nm制程节点首次引入finfet晶体管以来，逻辑芯片工艺正式迈入3d时代。如今，三星也即将在闪存领域迈出革命性一步——率先将3d晶体管技术应用于nand闪存芯片。
FinFET是一种三维结构的晶体管，因其形状类似鱼鳍（Fin）而得名“鳍式场效应晶体管”。相较于传统2D平面晶体管，它在控制漏电流、提升开关速度和降低功耗方面具有显著优势。Intel最早于22nm节点采用该技术，随后台积电与三星在14/16nm节点相继跟进，目前FinF...
11月10日消息，美国存储芯片巨头闪迪（sandisk）近日宣布，将11月nand闪存芯片的合约价格上调50%。
值得注意的是，这已是闪迪今年以来至少第三次进行价格调整。此前，该公司在4月宣布全线产品涨价10%，随后于9月初再次对所有渠道及消费类产品实施了10%的普遍提价。
业内分析认为，此次大幅调价反映出当前存储市场供需失衡的严峻态势，主要推动力来自人工智能数据中心需求的迅猛增长以及晶圆产能供给的持续紧张。
据悉，闪迪的涨价举措已在存储模组产业链引发连锁反应，导致...