本站 11 月 20 日消息，半导体行业规范制定组织 jedec 下属固态技术协会美国当地时间本月 18 日宣布推出nand 闪存接口互操作性标准 jesd230g。
JESD230G 规范在性能方面引入了 4800MT/s 接口速率的支持；而在功能方面添加了 SCA（本站注：独立命令 / 地址，Separate Command /Address）总线协议，该协议允许主机和 NAND 设备最大限度地利用最新的接口速率，从而能提供增强的吞吐量和效率。
目前接口速率最快的...
本站 11 月 21 日消息，sk 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1tb（太比特，与 tb 太字节不同）tlc（triple level cell）4d nand 闪存。据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。
SK 海力士表示，“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的...
本站 12 月 9 日消息，韩媒 sedaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4xx 层第 10 代 3d v-nand 闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽 1 号工厂的量产线上。
参考本站此前报道，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上介绍 4XX 层 1Tb TLC NAND。该产品采用晶圆键合技术，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速率达 5.6Gb/s。...
新年伊始，存储芯片市场迎来寒冬。集邦咨询近日发布报告，预测2025年第一季度nand flash和dram合约价将双双下跌。
NAND Flash市场：供需失衡导致价格下跌
报告指出，2025年第一季度NAND Flash市场将面临严峻挑战，主要原因是供过于求。厂商库存持续攀升，而市场需求却持续低迷，预计平均合约价将环比下跌10%到15%。
虽然企业级固态硬盘(Enterprise SSD)订单相对稳定，价格跌幅有所收敛，但客户端固态硬盘(Client SSD)和...
7 月 2 日消息，据韩国媒体 etnews 昨日当地时间报道，三星计划于明年三月启动其新一代 3d nand 闪存——第十代 v-nand 首条量产线的建设，预计将于同年 10 月实现全面量产。
据报道，该产线将在 2026 年 3 月开始设备安装，并在上半年完成整条产线的搭建，随后进入试生产阶段，在工艺稳定后正式转入量产。这一进度略晚于此前部分业内人士的预估。
目前，三星最先进的 NAND 技术为 286 层的 V9 工艺，而下一代 V10 的堆叠层数预计将突...
9 月 18 日讯，闪迪高层于当地时间本月 10 日在高盛举办的 communacopia + technology 大会上透露，预计整个 2026 年期间，nand 闪存市场将持续面临供应紧张的局面。
该公司指出，NAND 闪存市场的供需格局正逐步转向有利于供应商的方向，且整体需求态势十分积极：一方面数据中心的存储需求保持旺盛，另一方面人工智能技术的发展也推动了智能手机和 PC 销量的增长，并带动设备平均存储容量上升。
闪迪强调，过去依靠导入新制程节点来降低制造成本...
10月5日，随着人工智能数据中心的迅猛发展，群联电子董事长潘健成在近期接受采访时发出预警：预计2026年将爆发的nand闪存供应短缺，可能将持续长达十年之久。
他在采访中不仅重申，更进一步上调了市场对“存储超级周期”的预估。他明确表示：“明年NAND将面临严重供不应求，我判断未来十年整体供应都将处于紧张状态。”
潘健成分析指出，过去每当闪存制造商加大投资扩产，市场便迅速饱和，价格应声暴跌，导致资本难以回收。正因如此，自2019至2020年起，行业整体开始缩减资本开支。...
11月10日，据相关报道，全球知名存储品牌sandisk（闪迪）于本月将nand flash闪存的合约价大幅调涨50%，引发业界高度关注。
这一价格调整并非个例。早在今年10月，三星电子便传出暂停DDR5内存合约报价的消息，随后SK海力士、美光等主要DRAM制造商也相继跟进，造成DRAM供应链出现显著供货紧张。部分急需芯片的企业不得不转向现货市场紧急采购，致使DDR5现货价格在短短一周内暴涨25%。
此次闪迪大幅上调NAND Flash价格，已对下游产业链带来明显冲击...
11月9日消息，据报道，闪迪已对11月份的nand闪存合约价格进行大幅上调，涨幅高达50%。
据悉，消息公布后，多家模组制造商包括创见、宜鼎国际及宇瞻科技等随即宣布暂停报价与出货，以重新评估成本结构。
其中，创见自11月7日起全面暂停报价和交货，暗示市场行情仍将上扬，价格有望进一步走高。
此次供应紧张的根本原因在于AI应用爆发带来的存储需求激增，厂商正将更多产能转向高附加值的AI用内存产品。
这一调整导致消费级SSD、嵌入式存储模块以及主流DDR4等民用领域NAN...
11月11日资讯，随着dram市场因供应紧张而掀起全球性涨价潮，ai技术的迅猛发展也正推动nand闪存面临类似的短缺与价格上扬局面。
据报导，群联电子董事长潘健成透露，过去半年间，NAND闪存价格已上涨逾一倍，并预测此轮缺货与涨价趋势将持续多年。
他分析指出，当前存储市场的供需失衡主要源于AI数据中心对存储设备需求的爆发式增长。为规避企业级HDD产品漫长的交货周期，各大数据中心正加速转向采用SSD方案，这一转变大幅推升了对NAND闪存的需求，进一步加剧了供应压力。...