功耗降低30% 台积电1.4nm工艺即将动工：28年量产

8月28日消息，台积电在先进制程领域持续领跑，今年将率先量产2nm工艺n2，随后推进至1.6nm的a16工艺，未来更将迈向1.4nm的a14节点。

目前，1.4nm工艺的生产基地已进入筹备阶段。由于建厂周期通常需两年时间，根据中科管理局发布的最新进展，中科二厂园区的水土保持工程预计于9月底完成，台积电计划在10月正式进场动工。

除台积电自有的厂房外，园区内还将预留约5公顷土地，预计将吸引半导体设备商、IC设计公司等上下游企业入驻，进一步完善产业链布局。

台积电早在今年4月已公布建厂规划，中科二厂编号定为Fab 25，将分阶段建设共4座晶圆厂，首座工厂预计2027年启动风险试产，并于2028年下半年进入量产阶段，初期规划月产能达5万片晶圆。

该基地将导入最先进的1.4nm A14工艺。根据台积电官网资料，相较于业界领先的N2制程，A14工艺可在相同功耗下实现最高15%的性能提升；或在相同性能水平下，降低高达30%的功耗，同时逻辑单元密度提升超过20%。